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参数目录42474
> SIR800DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 8-SOIC
型号:
SIR800DP-T1-GE3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET N-CH 20V 8-SOIC
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
SIR800DP-T1-GE3 PDF
标准包装
1
系列
TrenchFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
50A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
2.3 毫欧 @ 15A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
133nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
5125pF @ 10V
功率 - 最大
69W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装
PowerPAK? SO-8
包装
剪切带 (CT)
其它名称
SIR800DP-T1-GE3CT
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